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山西-离子束刻蚀机供应商- 创世威纳

发布者:北京创世威纳科技有限公司2020-11-11







离子刻蚀简介

离子刻蚀是利用高能量惰性气体离子轰击被刻蚀物体的表面,达到溅射刻蚀的作用。因为采用这种方法,所以可以得到非常小的特征尺寸和垂直的侧壁形貌。这是一种“通用”的刻蚀方式,可以在任何材料上形成图形。它的弱点是刻蚀速度较低,选择性比较差。传导耦合性等离子体刻蚀的优势在于刻蚀速率高、-的物理形貌和通过对反应气体的选择,达到针对光刻胶和衬底的高选择比。一般用于对特征形貌没有要求的去胶(ashing,灰化)工艺。反应离子刻蚀是上述两种刻蚀方法相结合的产物,它是利用有化学反应性气体产生具有化学活性的基团和离子。经过电场加速的高能离子轰击被刻蚀材料,使表面受损,提高被刻蚀材料表面活性,加速与活性刻蚀反应基团的反应速度,从而获得较高的刻蚀速度。这种化学和物理反应的相互促进,使得反应离子刻蚀具有上述两种干法刻蚀所没有的-性:-的形貌控制能力(各向-)、较高的选择比、可以接受的刻蚀速率。因此在于法刻蚀工艺中反应性离子刻蚀得到广泛应用。

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刻蚀气体的选择

对于多晶硅栅电极的刻蚀,腐蚀气体可用cl2或sf6,要求对其下层的栅氧化膜具有高的选择比。刻蚀单晶硅的腐蚀气体可用cl2/sf6或sicl4/cl2;刻蚀sio2的腐蚀气体可用chf3或cf4/h2;刻蚀si3n4的腐蚀气体可用cf4/o2、sf6/o2或ch2f2/chf3/o2;刻蚀al或al-si-cu合金的腐蚀气体可用cl2、bcl3或sicl4;刻蚀w的腐蚀气体可用sf6或cf4;刻蚀光刻胶的腐蚀气体可用氧气。对于石英材料,可选择气体种类较多,比如cf4、cf4+ h2、chf3 等。我们选用chf3 气体作为石英的腐蚀气体。其反应过程可表示为:chf3 + e——chf+2 + f (游离基) + 2e,sio 2 + 4f sif4 (气体) + o 2 (气体)。sio 2 分解出来的氧离子在高压下与chf+2 基团反应, 生成co ↑、co 2↑、h2o ↑、o f↑等多种挥发性气体 [3]  。

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离子束刻蚀机

离子束分析具有一定能量的离子与物质相互作用会使其发射电子、光子、x射线等,还可能发生弹性散射、非弹性散射以及-,产生反弹离子、反冲核、γ射线、氢核、氚核、粒子等-产物,可以提供有关该物质的组分、结构和状态等信息。利用这些信息来分析样品统称离子束分析。在离子束分析方法中,比较成熟的有背散射分析x射线荧光分析、-分析和沟道效应见沟道效应和阻塞效应与其他分析相结合的分析方法等。此外,利用低能离子束还可作表面成分分析,如离子散射谱(zss)、次级离子质谱(szms)等。超灵敏质谱质谱、带电粒子活化分析、离子激发光谱、离子激发俄歇电子谱等正在发展中。用于离子束分析的mv级已有专门的商业化设备。











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