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铟锡氧化物( indium tin oxide ,简称ito) 薄膜是一种用途广泛的透明导电材料,已成熟的应用于电机车挡风玻璃、液晶显示器件、太阳能电池、全息照相和液晶彩色电视等,蓄势待发的应用领域为有机发光二极管显示器(organic light-emitting diode ,简称oled) 。从应用角度出发,通常要求ito 薄膜的成份是in2o3 和sno2 ,薄膜中铟锡化合物愈少愈好。陶瓷靶因能抑制溅射过程中氧的选择性溅射,能稳定地将金属铟和锡与氧的反应物按所需的化学配比稳定地成膜,故无zhong毒现象,工艺窗口宽,稳定性好。ito 薄膜的制备方法很多,如喷涂、蒸发、射频溅射和磁控溅射等。随着液晶显示器技术向高精细化和大型化发展,磁控溅射法-欢迎。
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由于ito 薄膜的导电属于n 型半导体性质,即其导电机制为还原态in2o3 放出两个电子,成为氧空穴载流子和in3 + ,被固溶的四价掺锡置换后放出一个电子成为电子载流子。显然,不论哪一种导电机制,载流子密度均与溅射成膜时的氧含量有很大关系。随着氧含量的增加,当膜的组分接近化学配比时,迁移率有所增加,但却使载流子密度有所减少。采用以上三种技术方案,在溅射沉积光学膜时,都会存在靶zhong毒现象,从而导致膜层沉积速度非常慢,对于上节介绍各种光学膜来说,膜层厚度较厚,膜层总厚度可达数百纳米。这两种效应的综合结果是膜的光电性能随氧含量的变化呈极值现象。对应极值的氧含量直接决定着“工艺窗口”的宽窄,它与成膜时的基底温度、气流量及膜的沉积速率等参数有关。为便于控制氧含量,我们采用混合比为85∶15 的氧混合气代替纯氧,气体喷孔的设计-了基底各处氧分子流场的均匀性。
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目前常用的制备copt 磁性薄膜的方法是磁控溅射法。磁控溅射法是在高真空充入适量的ya气,在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁) 之间施加几百k 直流电压,在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电,使ya气发生电离。1-10pa的ar或其它惰性气体,在阴极靶1-3kv直流负高压或13。ya离子被阴极加速并轰击阴极靶表面,将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间,便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜。磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。
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