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感应耦合等离子体刻蚀的原理

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感应耦合等离子体刻蚀法inductively coupled plasma etch，简称icpe是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，icp 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的rf 射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。