磁控溅射仪常用指南

镀膜设备原理及工艺

主要溅射方式：

反应溅射是在溅射的惰性气体气氛中,通入一定比例的反应气体,通常用作反应气体的主要是氧气和氮气。

直流溅射(dc -ron1 sputtering)、射频溅射(rf -ron1 sputtering)、脉冲溅射(pulsed-ro n1 sp uttering)和中频溅射(medium fre2quency -ro2 n sp uttering)

直流溅射方法用于被溅射材料为导电材料的溅射和反应溅射镀膜中,其工艺设备简单,有较高的溅射速率。

中频交流磁控溅射在单个阴极靶系统中,与脉冲磁控溅射有同样的释放电荷、防止打弧作用。中频交流溅射技术还应用于孪生靶(twin2mag)溅射系统中,中频交流孪生靶溅射是将中频交流电源的两个输出端,分别接到闭合磁场非平衡溅射双靶的各自阴极上,因而在双靶-别获得相位相反的交流电压,一对磁控溅射靶则交替成为阴极和阳极。在建筑玻璃层面的运用：太阳-膜、低辐射夹层玻璃、防雾防露和自清洁玻璃等。孪生靶溅射技术大大提高磁控溅射运行的稳定性,可避免被毒化的靶面产生电荷积累,引起靶面电弧打火以及阳极消失的问题,溅射速率高,为化合物薄膜的工业化-生产奠定基础。

连续式的磁控溅射生产线 总体上可以分为三个部分: 前处理, 溅射镀膜, 后处理。

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磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影响因素是什么？

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靶zhong毒的物理解释

1一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶zhong毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上-薄膜的。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400v-600v之间，当发生靶zhong毒时，溅射电压会-降低。2金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样，一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶zhong毒后溅射速率低。3反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低，所以反应气体比例增加后，综合溅射速率降低。

磁控溅射镀膜仪应用广泛

目前我国磁控溅射镀膜仪市场销售非常火热，这是一项-的新技术，它带给企业和厂家的不仅仅是技术，还能够节省大量的人工运作成本，因此-广大用户的-。

磁控溅射镀膜设备可制备多种薄膜，不同功能的薄膜，还可沉积组分混合的混合物、化合物薄膜；磁控溅射等离子体阻抗低，从而导致了高放电电流，在约５００ｖ的电压下放电电流可从１ａ 到１００ａ取决于阴极的长度；成膜速率高，沉积速率变化范围可从１ｎｍ／ｓ到１０ｎｍ／ｓ；但这不等于说陶瓷靶解决了所有的问题,其薄膜光电性能仍然受制于基底温度、溅射电压、氧含量等主要工艺参数的影响,不同工艺制备出的ito薄膜的光电性能相差甚远。成膜的一致性好，甚至是在数米长的阴极溅射的情况下，仍能-膜层的一致性；基板温升低；溅射出来的粒子能量约为几十电子伏特，成膜较为致密，且膜基结合较好。

磁控溅射镀膜设备得以广泛的应用是因为该技术的特点所决定的，其特点可归纳为：可制备成靶材的各种材料均可作为薄膜材料，包括各种金属、半导体、铁磁材料，以及绝缘的氧化物、陶瓷、聚合物等物质。

另外磁控溅射调节参数则可调谐薄膜性能，尤其适合大面积镀膜，沉积面积大膜层比较均匀。

近年来，磁控溅射镀膜设备在我国-的流行，从侧面反映出了我国工业发展十分迅速，今后设备取代人工的可能性是非常-的。

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